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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7 Dong ZY; Zhao YW; Zeng YP; Duan ML; Sun WR; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：351/16  |  提交时间：2010/08/12 annealing  defects  etching  semiconducting indium phosphide  FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  INDIUM-PHOSPHIDE  DEFECTS  DIFFUSION  CRYSTALS  WAFERS   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   Aggregation and precipitation in high dose as ion implanted Ge0.5Si0.5 alloy 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1996, 卷号: 119, 期号: 4, 页码: 510-514 Fan TW; Zou LF; Wang ZG; Hemment PLF; Greaves SJ; Watts JF 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 ELECTRICAL-PROPERTIES  SI0.5GE0.5 ALLOY  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  SB  SUPERLATTICES  DIFFUSION  REGROWTH  SILICON  SI