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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 1.3-mu m In(Ga)As Quantum-Dot VCSELs Fabricated by Dielectric-Free Approach With Surface-Relief Process 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93 Xu DW; Yoon SF; Ding Y; Tong CZ; Fan WJ; Zhao LJ 收藏  |  浏览/下载：100/2  |  提交时间：2011/07/05 Dielectric-free approach  quantum dot (QD)  surface-relief technique  vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)  EMITTING LASERS   Microphotoluminescence investigation of InAs quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073111 Ding Y (Ding Y.); Fan WJ (Fan W. J.); Ma BS (Ma B. S.); Xu DW (Xu D. W.); Yoon SF (Yoon S. F.); Liang S (Liang S.); Zhao LJ (Zhao L. J.); Wasiak M (Wasiak M.); Czyszanowski T (Czyszanowski T.); Nakwaski W (Nakwaski W.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/11/14 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY  PHOTOLUMINESCENCE  MODES   Luminescence properties of multi-layer InGaN quantum dots grown on C- and R-plane sapphire substrates 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 314-318 Chen, Z; Chua, SJ; Han, PD; Liu, XL; Lu, DC; Zhu, QS; Wang, ZG; Tripathy, S 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/17 GaN