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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2011 [2]
2010 [1]
2007 [1]
2005 [1]
2002 [1]
2000 [1]
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学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Microwave Study of FeSe(0.3)Te(0.7) Thin Film by TE(011)-Mode Sapphire Dielectric Resonator
期刊论文
ieee transactions on applied superconductivity, 2011, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 599-601
Wu, Y
;
Zhou, SY
;
Wang, XY
;
Cao, LX
;
Zhang, XQ
;
Luo, S
;
He, YS
;
Barannik, AA
;
Cherpak, NT
;
Skresanov, VN
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/02/06
Cavity resonator
microwave measurement
multi-gap
node
Microwave Study of FeSe0.3Te0.7 Thin Film by TE011-Mode Sapphire Dielectric Resonator
期刊论文
ieee transactions on applied superconductivity, 2011, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 599-601
作者:
Wang XY
收藏
  |  
浏览/下载:58/4
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提交时间:2011/07/15
Cavity resonator
microwave measurement
multi-gap
node
Superconductivity in Iron Telluride Thin Films under Tensile Stress
期刊论文
physical review letters, 104 (1): jan 8 2010, 2010, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: art. no. 017003
作者:
Wang XY
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浏览/下载:73/14
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提交时间:2010/04/13
43 K
FESE
COMPOUND
PRESSURE
The correlation between preferred orientation and performance of ITO thin films
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2007, 卷号: 18 suppl.1, 期号: 0, 页码: s411-s414
Chen Y (Chen Yao)
;
Zhou YQ (Zhou Yuqin)
;
Zhang QF (Zhang Qunfang)
;
Zhu MF (Zhu Meifang)
;
Liu FZ (Liu Fengzhen)
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/03/29
ELECTRICAL-PROPERTIES
In-situ resistivity measurement of ZnS in diamond anvil cell under high pressure
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 927-930
Han, YH
;
Luo, JF
;
Hao, AM
;
Gao, CX
;
Xie, HS
;
Qu, SC
;
Liu, HW
;
Zou, GT
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/17
SUPERCONDUCTIVITY
Photoluminescence assessment of undoped semi-insulating InP wafers obtained by annealing in iron phosphide vapour
期刊论文
semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 570-574
Dong HW
;
Zhao YW
;
Lu HP
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
ELECTRICAL-PROPERTIES
ROOM-TEMPERATURE
UNIFORMITY
PRESSURE
INGOT
Point defects in III-V compound semiconductors
期刊论文
defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93
Chen N
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
compound semiconductors
point defects
deep level centres
stoichiometry
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS SINGLE-CRYSTALS
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
SEMI-INSULATING GAAS
ELECTRICAL-PROPERTIES
LATTICE-PARAMETER
NATIVE DEFECTS
CARBON
DIFFRACTOMETER
STOICHIOMETRY
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