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科研机构
半导体研究所 [3]
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期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [1]
2001 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
Sun GS (Sun G. S.)
;
Liu XF (Liu X. F.)
;
Gong QC (Gong Q. C.)
;
Wang L (Wang L.)
;
Zhao WS (Zhao W. S.)
;
Li JY (Li J. Y.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Li JM (Li J. M.)
收藏
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浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/04/11
4H-SiC
homoepitaxial layers
surface morphological defect
optical microscopy
SILICON-CARBIDE
DISLOCATIONS
FILMS
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 516-520
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
收藏
  |  
浏览/下载:82/10
  |  
提交时间:2010/08/12
adsorption
characterization
radiation
molecular beam epitaxy
nitrides
SURFACE-EMITTING LASER
QUANTUM-WELLS
OPERATION
RANGE
Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing
会议论文
5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
;
Zhang W
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
COHERENT ISLANDS
GAAS
GROWTH
DOTS
DISLOCATIONS
TEMPERATURE
MECHANISMS
SI(001)
INGAAS
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