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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：252/65  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  MOCVD  in situ laser reflectometry  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  IN-SITU  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  FILMS