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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1994 [1]
1991 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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PASSIVATION OF COPPER BY LITHIUM IN P-TYPE GAAS
期刊论文
physical review b, 1994, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 1996-1998
EGILSSON T
;
GISLASON HP
;
YANG BH
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提交时间:2010/11/15
PHOTO-LUMINESCENCE
DEUTERIUM
IMPURITY
DEFECTS
CU
SPECTROSCOPIC INVESTIGATION OF HYDROGEN-DOPANT COMPLEXES IN BULK P-TYPE AND IMPLANTED N-TYPE CRYSTALLINE SILICON
期刊论文
journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 7, 页码: 3802-3807
RIZK R
;
DEMIERRY P
;
SONG C
;
BALLUTAUD D
;
PAJOT B
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  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/11/15
MICROSCOPIC STRUCTURE
ACCEPTOR PAIRS
DOPED SILICON
BORON
DEFECT
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