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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2010 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2000 [1]
1997 [2]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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In-plane stray field induced spin-filtering in a two-dimensional electron gas under the modulation of surface ferromagnetic dual-gate
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073703
Wang Y (Wang Y.)
;
Jiang Y (Jiang Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/14
BARRIER STRUCTURE
MAGNETIC-FIELD
POLARIZATION
CONDUCTANCE
DEVICE
Effect of small-angle scattering on the integer quantum Hall plateau
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 436-438
Shu Q
;
Lin YW
;
Xing XD
;
Yao JH
;
Pi B
;
Shu YC
;
Wang ZG
;
Xu JJ
收藏
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浏览/下载:266/7
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提交时间:2010/04/11
MAGNETIC-FIELD
HETEROSTRUCTURES
RESISTANCE
DEPENDENCE
Microstructure characterization of transition films from amorphous to nanocrocrystalline silicon
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 27-32
Xu YY
;
Liao XB
;
Kong GL
;
Zeng XB
;
Hu ZH
;
Diao HW
;
Zhang SB
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
growth from vapor
chemical vapor deposition processes
semiconducting silicon
A-SI-H
MICROCRYSTALLINE SILICON
EXCITATION-FREQUENCY
HYDROGENATED SILICON
DEPOSITION
PLASMA
TEMPERATURE
Landauer-Buttiker formula for time-dependent transport through resonant-tunneling structures: A nonequilibrium Green's function approach
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 1978-1983
You JQ
;
Lam CH
;
Zheng HZ
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/08/12
CURRENT PARTITION
CONDUCTANCE
SYSTEMS
Kinetics and transport model for the chemical vapor epitaxy of GexSi1-x
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 172, 期号: 0, 页码: 381-388
Jin XJ
;
Liang JW
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/17
ATMOSPHERIC-PRESSURE
DEPOSITION
GROWTH
SIH2CL2
LAYERS
SI
The dependence of GexSi1-x epitaxial growth on GeH4 flow using chemical vapour deposition
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 1997, 卷号: 8, 期号: 6, 页码: 405-408
Jin XJ
;
Liang JW
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提交时间:2010/08/12
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