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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comprehensive thermal characterization using ruby R fluorescence lines of sapphire and GaNE(2)-high Raman mode from Raman spectra in high-power flip-chip InGaN/GaN LEDs 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 35, 页码: 355101 Cui M; Zhou TF; Wang MR; Huang J; Huang HJ; Zhang JP; Xu K; Yang H 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  TEMPERATURE-MEASUREMENTS  GAN  SCATTERING  DEPENDENCE  JUNCTION  PHONONS  ALN   Quantum efficiency and temperature coefficients of GaInP/GaAs dual-junction solar cell 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 5, 页码: 1176-1180 作者:  Zhang H;  Yin ZG;  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：200/42  |  提交时间：2010/03/08 quantum efficiency  temperature coefficient  solar cell   Studies of 6H-SiC devices 会议论文 korea-china joint symposium on smiconductor physics and device applications, seoul, south korea, dec 05-09, 2001 Wang SR; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 SiC  Schottky  pn junction diodes  MOS capacitor  JUNCTION DIODES   Microscopic analysis of defects in a high resistivity silicon detector irradiated to 1.7x10(15)n/cm(2) 期刊论文 ieee transactions on nuclear science, 1996, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 1590-1598 Li Z; Ghislotti G; Kraner HW; Li CJ; Nielsen B; Feick H; Lindstroem G 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17 RADIATION-DAMAGE  JUNCTION