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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [2]
1991 [1]
学科主题
半导体器件 [3]
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学科主题:半导体器件
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Comprehensive thermal characterization using ruby R fluorescence lines of sapphire and GaNE(2)-high Raman mode from Raman spectra in high-power flip-chip InGaN/GaN LEDs
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 35, 页码: 355101
Cui M
;
Zhou TF
;
Wang MR
;
Huang J
;
Huang HJ
;
Zhang JP
;
Xu K
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
TEMPERATURE-MEASUREMENTS
GAN
SCATTERING
DEPENDENCE
JUNCTION
PHONONS
ALN
High power, high energy nanosecond pulsed fiber amplifier with a 20-mu m-core fiber
期刊论文
laser physics, 2011, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 536-539
作者:
Dong ZY
;
Sun L
收藏
  |  
浏览/下载:60/6
  |  
提交时间:2011/07/06
TEMPERATURE-DEPENDENCE
BEAM QUALITY
LASER
FREQUENCY
GAAS/GAALAS GRADED INDEX SEPARATE CONFINEMENT SINGLE QUANTUM-WELL SINGLE-MODE WAVE-GUIDE ELECTROABSORPTION LIGHT-MODULATOR
期刊论文
iee proceedings-j optoelectronics, 1991, 卷号: 138, 期号: 5, 页码: 313-318
ZHU LD
;
XIONG FK
;
WANG CM
;
CHEN ZH
;
HSIE YL
;
FEAK GAB
;
BALLANTYNE JM
收藏
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浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2010/11/15
GAALAS SEMICONDUCTOR-LASERS
OPTICAL MODULATION
ULTIMATE LIMIT
ABSORPTION
HETEROSTRUCTURE
DEPENDENCE
DIODE
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