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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
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2016 [1]
2015 [1]
2001 [1]
1997 [1]
1996 [2]
学科主题
半导体器件 [6]
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学科主题:半导体器件
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Carrier leakage effect on efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes
期刊论文
modern physics letters b, 2016, 卷号: 20, 页码: 1650221
Yang Huang
;
Zhiqiang Liu
;
Xiaoyan Yi
;
Yao Guo
;
Shaoteng Wu
;
Guodong Yuan
;
Junxi Wang
;
Guohong Wang
;
Jinmin Li
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/03/16
High Quantum Efficiency and Low Droop of 400-nm InGaN Near-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Through Suppressed Leakage Current
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2015, 卷号: 51, 期号: 9, 页码: 3300605
Panpan Li
;
Hongjian Li
;
Liancheng Wang
;
Xiaoyan Yi
;
Guohong Wang
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2016/04/15
Ti Schottky barrier diodes on n-type 6H-SiC
会议论文
6th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, shanghai, peoples r china, oct 22-25, 2001
作者:
Yu F
收藏
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/10/29
SEMICONDUCTOR
Temperature-stimulated abnormal annealing of neutron-induced damage in high-resistivity silicon detectors
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1997, 卷号: 385, 期号: 2, 页码: 321-329
Li Z
;
Li CJ
;
Verbitskaya E
;
Eremin V
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/17
CHARGES N-EFF
RADIATION-DAMAGE
SPECTROSCOPY
Investigation on the N-eff reverse annealing effect using TSC/I-DLTS: Relationship between neutron induced microscopic defects and silicon detector electrical degradations
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1996, 卷号: 377, 期号: 0, 页码: 265-275
Li Z
;
Li CJ
;
Eremin V
;
Verbitskaya E
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/17
RADIATION-DAMAGE
RESISTIVITY
Microscopic analysis of defects in a high resistivity silicon detector irradiated to 1.7x10(15)n/cm(2)
期刊论文
ieee transactions on nuclear science, 1996, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 1590-1598
Li Z
;
Ghislotti G
;
Kraner HW
;
Li CJ
;
Nielsen B
;
Feick H
;
Lindstroem G
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提交时间:2010/11/17
RADIATION-DAMAGE
JUNCTION
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