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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1999 [1]
学科主题
半导体化学 [1]
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学科主题:半导体化学
内容类型:期刊论文
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In composition dependence of lateral ordering in InGaAs quantum dots grown on (311)B GaAs substrates
期刊论文
applied surface science, 1999, 卷号: 141, 期号: 1-2, 页码: 101-106
作者:
Xu B
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提交时间:2010/08/12
quantum dot array
InxGa1-xAs self-assembly
molecular beam epitaxy
GaAs (311)B
high-index
surface structure
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SELF-ORGANIZATION
PHASE EPITAXY
INAS
SURFACES
MICROSTRUCTURES
GAAS(100)
ALIGNMENT
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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