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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing 期刊论文 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471 Wang W; Su SJ; Zheng J; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：97/7  |  提交时间：2011/07/05 Germanium tin alloys  Germanium buffer  Surface morphology evolution  Mass transport  SURFACE  GROWTH  EVOLUTION  DECAY   Undersized humidity detecting system based on infrared spectrum absorption 期刊论文 qiangjiguang yu lizishu/high power laser and particle beams, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 363-366 Ju, Yu; Xie, Liang; Han, Wei; Sun, Ke 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2012/06/13 Amplification  Analog to digital conversion  Lasers  Light sources  Sensors  Signal detection  Signal processing  Standards  Surface emitting lasers  Water absorption  Water vapor   Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 13, 页码: 881-883 作者:  Cao Q 收藏  |  浏览/下载：62/5  |  提交时间：2011/07/05 Resonant cavity enhanced (RCE) photodetector  silicon photonics  sol-gel wafer bonding  thermal tuning  INTERFACIAL ENERGY  SILICON-WAFERS  HIGH-SPEED  TEMPERATURE  PHOTODIODES  MORPHOLOGY  POWER   Evolution of surface morphology and photoluminescence characteristics of 1.3-mu m In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese optics letters, 2009, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 52-55 Wei QX; Ren ZW; He ZH; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2010/03/08 1.3 MU-M  ROOM-TEMPERATURE  OPTICAL-PROPERTIES  CAP LAYER  GAAS  DEPOSITION   Thermal test and analysis of concentrator solar cells - art. no. 684117 会议论文 conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007 Cui M; Chen NF; Wu JL; Liu L; Wang P; Wang YS; Bai YM 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/09 temperature   Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100) 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: art.no.023513 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/11 ACTIVATED BONDING METHOD  ROOM-TEMPERATURE  EPITAXIAL OVERGROWTHS  SURFACE  CRYSTAL  GAAS  TECHNOLOGY  ENERGY  FILMS   PHOTOLUMINESCENCE INVESTIGATIONS OF CD1-XMNXTE UNDER HYDROSTATIC-PRESSURE 期刊论文 journal of applied physics, 1992, 卷号: 72, 期号: 3, 页码: 1070-1074 JIANG S; SHEN SC; LI GH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 OPTICAL-ABSORPTION EDGE  EXCHANGE INTERACTION  PHOTO-LUMINESCENCE  MIXED-CRYSTALS  BAND  PHOTOCONDUCTIVITY  TEMPERATURE  ELECTRONS  STATES  ALLOYS