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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750 作者:  Yang H;  Jiang DS;  Le LC;  Zhang SM;  Wu LL 收藏  |  浏览/下载：46/3  |  提交时间：2011/07/05 Nitride materials  Crystal growth  Composition fluctuations  X-ray diffraction  LAYER   High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516 Sun, Q; Wang, JT; Wang, H; Jin, RQ; Jiang, DS; Zhu, JJ; Zhao, DG; Yang, H; Zhou, SQ; Wu, MF; Smeets, D; Vantomme, A 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08 STRESS  SI(111)  REDUCTION  THICKNESS   Correlation between optical and structural properties of (Al,Ga)N layers grown by MOCVD 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 1, 页码: 294-298 Jahn U (Jahn Uwe); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Ploog KH (Ploog Klaus H.); Wang XL (Wang Xiaolan); Zhao DG (Zha0 Degang); Yang H (Yang, Hui) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Growth of AlGaN epitaxial film with high Al content by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 774-777 Wang XL (Wang Xiao-Lan); Zhao DG (Zhao De-Gang); Yang H (Yang Hui); Liang JW (Liang Jun-Wu) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/03/29 LIGHT-EMITTING-DIODES   Structural and optical properties of violet InGaN/AlInGaN light-emitting diodes grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 295, 期号: 1, 页码: 40370 Liu JP (Liu J. P.); Shen GD (Shen G. D.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhang SM (Zhang S. M.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/04/11 metal organic chemical vapor deposition  violet light-emitting diodes  AlInGaN quaternary alloy  QUATERNARY ALINGAN EPILAYERS  EMISSION  GAN   The effects of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayers 期刊论文 materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696 Wang XL (Wang X. L.); Zhao DG (Zhao D. G.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2010/04/11 AlGaN  LT AlN  TAXRD  dislocation   Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 388-393 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：260/57  |  提交时间：2010/03/09 triple-axis X-ray diffraction