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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2020     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interfaces between MoOx and MoX2 (X = S, Se, and Te) 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: - 作者:  Chen, FM;  Liu, JX;  Zheng, XM;  Liu, LH;  Xie, HP 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/09/06 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXIAL-GROWTH  MONOLAYER MOS2  TRANSPORT-PROPERTIES  ELECTRONIC-STRUCTURES  GRAPHENE NANORIBBONS  LARGE-AREA  NANORODS  CARBON   Epitaxial growth of < 010 >-oriented MoO2 nanorods on m-sapphire 期刊论文 CURRENT APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1130-1135 作者:  Liu, JX;  Shi, J;  Wu, D;  Zheng, XM;  Chen, FM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/09/06 FIELD-EMISSION PROPERTIES  ELECTRONIC-STRUCTURE  BISMUTH  DRIVEN