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浏览/检索结果: 共33条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2001     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 利用离子注入~（15）N靶研究超低能区~（15）N（p,α）~（12）C核反应 期刊论文 原子能科学技术, 2001, 期号: 6, 页码: 496-499 作者:  王铁山;  丁宝卫;  诸永泰;  王志国;  靳根明 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/07/18 15N(p,α)12C核反应  微分截面  激发曲   High-power and long-lifetime inas/gaas quantum-dot laser at 1080 nm 期刊论文 Applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 18, 页码: 2868-2870 作者:  Liu, HY;  Xu, B;  Wei, YQ;  Ding, D;  Qian, JJ 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Structure and photoluminescence of ingaas quantum dots formed on an inalas wetting layer 期刊论文 Chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 1411-1414 作者:  Zhang, YC;  Huang, CJ;  Ye, XL;  Xu, B;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and characterization of ingaas/inalas quantum cascade lasers 期刊论文 Solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1831-1835 作者:  Liu, FQ;  Zhang, QS;  Zhang, YZ;  Ding, D;  Xu, B 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum cascade laser  Molecular beam epitaxy   Effect of growth temperature on luminescence and structure of self-assembled inalas/algaas quantum dots 期刊论文 Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 2048-2050 作者:  Liu, HY;  Xu, B;  Qian, JJ;  Ye, XL;  Han, Q 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Thermal redistribution of photocarriers between bimodal quantum dots 期刊论文 Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 1973-1976 作者:  Zhang, YC;  Huang, CJ;  Liu, FQ;  Xu, B;  Wu, J 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Size and shape evolution of self-assembled coherent inas/gaas quantum dots influenced by seed layer 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 1005-1009 作者:  Liu, HY;  Xu, B;  Ding, D;  Chen, YH;  Zhang, JF 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Low dimensional structures  Molecular beam epitaxy  Nanomaterials   Unusual temperature-dependent optical properties of self-organized inas/gaas quantum dots at high excitation power 期刊论文 Chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 982-985 作者:  Wei, YQ;  Liu, HY;  Chai, CL;  Xu, B;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas self-assembled quantum dots grown on an inp (311)b substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 4186-4188 作者:  Li, YF;  Wang, JZ;  Ye, XL;  Xu, B;  Liu, FQ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Optical properties of ingaas quantum dots formed on inalas wetting layer 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46 作者:  Zhang, YC;  Huang, CJ;  Xu, B;  Ye, XL;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Molecular beam epitaxy  Semiconducting iii-v materials