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| Study of GaInAsSb epilayer by scanning electron acoustic microscopy 期刊论文
Solid State Communications, 1996, 卷号: 97, 期号: 11, 页码: 975-977
Li S. W.; Jin Y. X.; Zhang B. L.; Ning Y. Q.; Zhou T. M.; Jiang H.; Yuan G.
  收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2012/10/21 |
| The properties of GaInAsSb/GaSb heterostructure grown by MOCVD and p-GaInAsSb/n-GaSb photodiodes 会议论文
1996
Zhang B. L.; Jin Y. X.; Zhou T. M.; Jiang H.; Ning Y. Q.; Li S. W.
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2013/03/28 |
| MOCVD growth of GaxIn1-xAs1-ySby and GaxIn1-xSb alloys: Effect of growth parameters on their solid compositions 会议论文
1996
Zhang B. L.; Zhou T. M.; Jiang H.; Ning Y. Q.; Li S. W.; Jin Y. X.
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2013/03/28 |
| Preparation of silicon based field emission materials 会议论文
1996
Yuan G.; Jin Y.; Jin C.; Zhang B.; Song H.; Ning Y.; Zhou T.; Jiang H.; Li S.; Tian Y.; Gu C.
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2013/03/28 |
| Study of GaInAsSb epilayer by scanning electron acoustic microscopy 期刊论文
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1996, 卷号: 97, 期号: 11
作者: Li, SW; Zhang, BL; Ning, YQ; Zhou, TM; Jiang, H
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