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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1995     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 LP-MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料 期刊论文 兰州大学学报, 1995, 期号: 1, 页码: 2 作者:  崔敬忠;  甘润今;  陈光华;  张仿清;  杨树人 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 量子阱:7941  MOCVD生长:3790  InAlAs:2799  结构材料:2242  光荧光谱:1975  集成光电子学:1462  低温光荧光:1251  外延层:902  摩尔流量:805  缓冲层:787