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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1989     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor devices employing high resistivity in-based compound group III-IV epitaxial layer for current confinement 专利 专利号: US4888624, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19 作者:  JOHNSTON, JR., WILBUR D.;  KARLICEK, JR., ROBERT F.;  LONG, JUDITH A.;  WILT, DANIEL P. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 金属羰基化合物M（CO）（M=Cr,Mo,W）氧原子转移反应动力学与机理 期刊论文 化学学报, 1989, 期号: 2, 页码: 105-111 作者:  师彦龙;  高忆慈;  史启祯;  Basolo;  F 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/23 反应动力学:4727  反应速率:4677  氧原子转移:3965  反应机理:3188  速率常数:2940  亲核试剂:2874  过渡态:2140  实验结果:1683  缔合机理:1681  量子化学计算:1651   CLEAVAGE CRACK-TIP DEFORMATION IN SINGLE-CRYSTAL ZINC 期刊论文 Journal of Physics D-Applied Physics, 1989, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 991-993 F. Ran; Q. Y. Long; T. Y. Zhang; C. W. Lung 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2012/04/14