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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1985     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 ELECTRONIC EFFECTS OF La AT THE Si-SiO_2 INTERFACE 期刊论文 Journal of Electronics(China), 1985, 期号: 4, 页码: 350-353 作者:  Li SY(李思渊);  Zhang TJ(张同军) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/06/24 annealing  interfaces  wafer  兰州大学学报  dioxide  annealed  毓珍  remove  remarkably  linking   无金和掺金Si-SiO_2界面的氧退火特性 期刊论文 物理学报, 1985, 期号: 6, 页码: 715-724 作者:  李思渊;  张同军;  王毓珍;  李寿嵩;  殷之平 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 掺金:5420  氧退火:4620  界面态密度:4161  Si-SiO_2:3041  表面电荷:2613  界面硅:2081  浅谷:1957  能态:1852  退火温度:1666  禁带:1224   La在Si_SiO_2界面的电效应 期刊论文 电子科学学刊, 1985, 期号: 3, 页码: 238-240 作者:  李思渊;  张同军;  李寿嵩;  王毓珍 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2015/04/27 电效应:8237  样片:3652  控制片:2390  兰州大学:1577  电子能谱分析:1436  退火时间:1412  Si片:1391  互作用:1323  组分剖析:1225  热处理变:1161