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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1985     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H 薄膜晶化特性的影响 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1985, 期号: 3, 页码: 323-325 作者:  张仿清;  张南屏;  余光明;  汤训虎;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2015/04/23 晶化特性  高温退火  电导激活能  退火温度  室温电导率  衍射峰  兰州大学  H膜  光学带隙  平均晶粒度  CRYSTALLIZED CHARACTERISTICS  GRAIN SIZE  HIGH TEMPERATURE ANNEALING