×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京航空航天大学 [1]
长春光学精密机械与物... [1]
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2019 [3]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
发表日期:2019
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Defect Generation and Surface Functionalization on Epitaxial Blue Phosphorene by C-60 Adsorption
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2019, 卷号: 123, 页码: 12947-12953
作者:
Zhou, Dechun
;
Si, Nan
;
Tang, Qin
;
Hang, Bohong
;
Song, Xiufeng
收藏
  |  
浏览/下载:60/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Charge transfer
Fullerenes
Molecular beams
Molecular orbitals
Molecules
Scanning tunneling microscopy
Temperature
Conduction-band minimum
Density of dislocation
Interfacial charge transfer
Low-temperature scanning tunneling microscopy
Lowest unoccupied molecular orbital
Molecular beam epitaxial growth
Scanning tunneling spectroscopy
Surface Functionalization
Orbits
High quality 2-m GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 3
作者:
J.-M.Shang
;
J.Feng
;
C.-A.Yang
;
S.-W.Xie
;
Y.Zhang
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2020/08/24
Gallium compounds,Antimony compounds,III-V semiconductors,Molecular beam epitaxy,Molecular beams,Optically pumped lasers,Pumping (laser),Quantum well lasers,Semiconductor quantum wells,Silicon carbide,Silicon compounds,Tellurium compounds,Wide band gap semiconductors
Molecular beam epitaxial growth of high quality InAs/GaAs quantum dots for 1.3-µm quantum dot lasers
期刊论文
Chin. Phys. B, 2019, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 078104
作者:
Hui-Ming Hao
;
Xiang-Bin Su
;
Jing Zhang
;
Hai-Qiao Ni
;
Zhi-Chuan Niu
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2020/08/04
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace