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InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
韩智明
收藏  |  浏览/下载:238/0  |  提交时间:2015/05/03
局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
包广宏
收藏  |  浏览/下载:112/0  |  提交时间:2015/05/03
Effect of implantation temperature on exfoliation of H-2(+)-implanted Si 期刊论文
VACUUM, 2014, 卷号: 109, 页码: 1-7
作者:  Li, B. S.;  Wang, Z. G.;  Du, Y. Y.;  Wei, K. F.;  Yao, C. F.
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2018/07/05
Unintentionally doped semi-insulating GaN with a low dislocation density grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 卷号: 32, 期号: 5
作者:  Yang H(杨辉);  Zhang SM(张书明)
收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2014/12/01
Influence of vicinal sapphire substrate on the properties of N-polar GaN films grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 8
作者:  Su XJ(苏旭军)
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2014/11/27
Dislocation density variation and mechanical properties of pure copper via equal channel angular pressing 期刊论文
Zhongguo Youse Jinshu Xuebao/Chinese Journal of Nonferrous Metals, 2014, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 2057-2064
作者:  Ding, Yu-Tian;  Liu, Bo;  Guo, Ting-Biao;  Hu, Yong;  Li, Hai-Long
收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2020/11/14
Tensile properties and microstructure of EC316LN irradiated in STIP-II 会议论文
作者:  Li, B. S.;  Dai, Y.
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2018/08/20
Tensile properties and microstructure of EC316LN irradiated in STIP-II 会议论文
作者:  Li, B. S.;  Dai, Y.
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2018/08/20
Tensile properties and microstructure of EC316LN irradiated in STIP-II 期刊论文
JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2014, 卷号: 450, 页码: 42-47
作者:  Li, B. S.;  Dai, Y.
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2018/07/05
The anisotropic distribution of dislocations and tilts in metamorphic GaInAs/AlInAs buffers grown on GaAs substrates with miscut angles toward (111)A 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2014, 卷号: 597, 期号: 0, 页码: 45-49
作者:  Yang H(杨辉);  Dong JR(董建荣);  Zhao YM(赵勇明);  Yu SZ(于淑珍)
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2014/12/08


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