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内容类型
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学位论文 [3]
发表日期
2014 [46]
学科主题
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共46条,第1-10条
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发表日期:2014
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InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究
学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
韩智明
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浏览/下载:238/0
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提交时间:2015/05/03
金属有机化合物化学气相淀积
两步生长法
铟镓砷
砷化镓
缓冲层
局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器
学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
包广宏
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2015/05/03
AlGaN日盲紫外探测器
表面等离激元
Al颗粒制备
Effect of implantation temperature on exfoliation of H-2(+)-implanted Si
期刊论文
VACUUM, 2014, 卷号: 109, 页码: 1-7
作者:
Li, B. S.
;
Wang, Z. G.
;
Du, Y. Y.
;
Wei, K. F.
;
Yao, C. F.
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/07/05
Hydrogen Implantation
Annealing
Exfoliation
Platelet
Microcrack
Unintentionally doped semi-insulating GaN with a low dislocation density grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 卷号: 32, 期号: 5
作者:
Yang H(杨辉)
;
Zhang SM(张书明)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2014/12/01
GAN/SAPPHIRE INTERFACE
ELECTRON-TRANSPORT
CARBON
LAYER
FE
Influence of vicinal sapphire substrate on the properties of N-polar GaN films grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 8
作者:
Su XJ(苏旭军)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/11/27
YELLOW LUMINESCENCE
STACKING-FAULTS
IMPURITY INCORPORATION
Dislocation density variation and mechanical properties of pure copper via equal channel angular pressing
期刊论文
Zhongguo Youse Jinshu Xuebao/Chinese Journal of Nonferrous Metals, 2014, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 2057-2064
作者:
Ding, Yu-Tian
;
Liu, Bo
;
Guo, Ting-Biao
;
Hu, Yong
;
Li, Hai-Long
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/11/14
Copper
Density (specific gravity)
Ductile fracture
Grain boundaries
Grain size and shape
Mechanical properties
Microstructure
Pressing (forming)
Tensile strength
Dislocation densities
ECAP
Fracture mechanisms
Micro-structure evolutions
Pure copper
Stack fault energies
Stacking fault energies
Uniform distribution
Tensile properties and microstructure of EC316LN irradiated in STIP-II
会议论文
作者:
Li, B. S.
;
Dai, Y.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2018/08/20
Tensile properties and microstructure of EC316LN irradiated in STIP-II
会议论文
作者:
Li, B. S.
;
Dai, Y.
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/08/20
Tensile properties and microstructure of EC316LN irradiated in STIP-II
期刊论文
JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2014, 卷号: 450, 页码: 42-47
作者:
Li, B. S.
;
Dai, Y.
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2018/07/05
The anisotropic distribution of dislocations and tilts in metamorphic GaInAs/AlInAs buffers grown on GaAs substrates with miscut angles toward (111)A
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2014, 卷号: 597, 期号: 0, 页码: 45-49
作者:
Yang H(杨辉)
;
Dong JR(董建荣)
;
Zhao YM(赵勇明)
;
Yu SZ(于淑珍)
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2014/12/08
Semiconductor
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Anisotropy
Dislocations
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