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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2009     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoelectric Cooperative High-Density Data Storage in an Organic Bilayer Thin Film 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2009, 卷号: 113, 期号: 20, 页码: 8548 Ma, Y; Wen, YQ; Wang, JX; Shang, YL; Du, SX; Pan, LD; Li, G; Yang, LM; Gao, HJ; Song, YL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/24 OPTICAL-DATA STORAGE  SCANNING TUNNELING MICROSCOPE  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  MEMORY DEVICES  ELECTRICAL BISTABILITY  CONJUGATED POLYMER  LOW-POWER  POLYIMIDE  COMPLEX  POLY(N-VINYLCARBAZOLE)   Two-bit ferroelectric field-effect transistor memories assembled on individual nanotubes 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2009, 卷号: 20, 期号: 47 Fu, WY; Xu, Z; Liu, L; Bai, XD; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/23 CARBON NANOTUBE  ACCESS MEMORY  PERFORMANCE  DIELECTRICS  DEVICES   Thermomechanical fatigue of shape memory alloys 期刊论文 Smart Materials & Structures, 2009, 卷号: 18, 期号: 8 D. C. Lagoudas; D. A. Miller; L. Rong; P. K. Kumar 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/13 cyclic deformation  part ii  niti  transformation  behavior  tini  failure  wires  life   Strain characteristics and superelastic response of Ni53.2Mn22.6Ga24.2 single crystals 期刊论文 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2009, 卷号: 149, 期号: 37-38, 页码: 1539 Cui, YT; Wu, L; You, SQ; Zhang, J; Wu, ZX; Kong, CY; Chen, JL; Wu, GH 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/24 NI-MN-GA  FIELD-INDUCED STRAIN  SHAPE-MEMORY ALLOYS  NI2MNGA  NIMNGA  MOTION  PHASE  MODEL   A novel vertical channel self-aligned split-gate flash memory 期刊论文 固体电子学, 2009 Wu, Dake; Zhou, Falong; Huang, Ru; Li, Yan; Cai, Yimao; Guo, Ao; Zhang, Xing; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 Flash memory  Vertical channel  Floating-gate  Split-gate  Low-power  High-density   Fully Room-Temperature-Fabricated Nonvolatile Resistive Memory for Ultrafast and High-Density Memory Application 外文期刊 2009 作者:  Yang, YC;  Pan, F;  Liu, Q;  Liu, M;  Zeng, F 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Zno Films  Resistance  Devices   Dry Etching of Nanosized Ge1Sb2Te4 Patterns Using TiN Hard Mask for High Density Phase-Change Memory 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1526-1529 Feng, GM; Liu, B; Song, ZT; Lv, SL; Wu, LC; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  GE2SB2TE5  DEVICE