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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Properties of exchange interaction in Yb3Fe5O12 under extreme conditions 期刊论文 journal of magnetism and magnetic materials, 2009, 卷号: 321, 期号: 19, 页码: 3307-3310 Wang W; Li DY 收藏  |  浏览/下载：100/2  |  提交时间：2010/03/08 Exchange interaction  Anisotropy  Temperature dependence  Iron garnet   Effect of a step quantum well structure and an electric-field on the Rashba spin splitting 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 11-14 作者:  Hao Guodong;  Chen Yonghai 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102 作者:  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：236/104  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier density  carrier mobility  dislocation density  dislocation scattering  gallium compounds  III-V semiconductors  semiconductor heterojunctions  wide band gap semiconductors   Temperature dependent spectral response characteristic of III-V compound tandem cell 期刊论文 chinese science bulletin, 2009, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 353-357 作者:  Wang Y 收藏  |  浏览/下载：411/35  |  提交时间：2010/03/08 spectral response  tandem cell  temperature coefficient   Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 151-154 作者:  Li Yan 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Raman scattering study on Ga1-xMnxAs prepared by Mn ions implantation, deposition and post-annealing 期刊论文 crystal research and technology, 2009, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 215-220 Islam MR; Chen NF; Yamada M 收藏  |  浏览/下载：224/44  |  提交时间：2010/03/08 Raman scattering  ferromagnetic  semiconductor  GaMnAs  Mn ions implantation  deposition   Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301 作者:  Jin P;  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：310/47  |  提交时间：2010/03/08 conduction bands  III-V semiconductors  II-VI semiconductors  indium compounds  interface states  polarisation  semiconductor heterojunctions  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra  zinc compounds   Well-width dependence of in-plane optical anisotropy in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells induced by in-plane uniaxial strain and interface asymmetry 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103108 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  gallium arsenide  III-V semiconductors  internal stresses  reflectivity  semiconductor heterojunctions  semiconductor quantum wells   Bulge testing and fracture properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films 期刊论文 thin solid films, 2009, 卷号: 517, 期号: 6, 页码: 1989-1994 作者:  Li Y 收藏  |  浏览/下载：359/38  |  提交时间：2010/03/08 Bulge test  Fracture property  Silicon nitride  Weibull distribution function