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浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2008     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd 期刊论文 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimie;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  High electron mobility transistor (hemt)  Si (111)   适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统 专利 专利号: CN200410058037.6, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2006-02-15 作者:  刘新宇;  刘健;  吴德馨;  魏珂;  和致经 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 High-performance 2 mm gate width ganhemts on 6h-sic with output power of 22.4 w @ 8 ghz 期刊论文 Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Hu, G. X. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemts  Sic  Power   The influence of 1 nm aln interlayer on properties of the al0.3ga0.7n/aln/gan hemt structure 期刊论文 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 作者:  Guo, Lunchun;  Wang, Xiaoliang;  Wang, Cuimei;  Mao, Hongling;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hemt  2deg  Mobility  Polarization   适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统 专利 专利号: CN200410058034.2, 申请日期: 2008-02-06, 公开日期: 2006-02-15 作者:  和致经;  刘新宇;  刘健;  吴德馨;  魏珂 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructures on semi-insulating GaN epilayers by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 103, 期号: 9 Mei, F; Fu, QM; Peng, T; Liu, C; Peng, MZ; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/17 FE-DOPED GAN  GAN/SAPPHIRE INTERFACE  (-/0)-ACCEPTOR LEVEL  HEMT STRUCTURES  SAPPHIRE  LAYER  DISLOCATION  ENHANCEMENT  SUBSTRATE  TRANSPORT   Transient leakage current technique for MIS HEMT (A12O3/AlGaN/GaN) dielectric semiconductor interface property characterization 其他 2008-01-01 Wen, Cheng P.; Wang, Jinyan; Chen, Hongwei; Hao, Y.L.; Lau, K.M.; Tang, C.W. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/10 热氧化Ti膜制备TiO_2-AlGaN/GaN结构的I-V特性 期刊论文 半导体技术, 2008 董志华; 王金延; 郝一龙; 文正; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 TiO2  AlGaN/GaN  热氧化  泄漏电流   热氧化Ti膜制备TiO_2-AlGaN/GaN结构的Ⅰ-Ⅴ特性 其他 2008-01-01 董志华; 王金延; 郝一龙; 文正; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 TiO_2  AlGaN/GaN  热氧化  泄漏电流   热氧化电子束蒸发Ti膜制备TiO2-AlGaN/GaN MIS结构的工艺及泄漏电流特性研究 其他 2008-01-01 董志华; 王金延; 郝一龙; 文正; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 二氧化钛薄膜 热氧化电子束蒸发 泄漏电流 退火工艺