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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2007    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Onset of oscillatory convection in a porous cylinder saturated with a viscoelastic fluid 期刊论文 physics of fluids, 2007 Zhang, Zhiyong; Fu, Ceji; Tan, Wenchang; Wang, C. Y. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/12 THERMAL-INSTABILITY  NATURAL-CONVECTION  CONSTANT FLUX  STABILITY  MEDIA  BOX   Numerical simulation of thermal convection of a viscoelastic fluid in a porous square box heated from below 期刊论文 physics of fluids, 2007 Fu, Ceji; Zhang, Zhiyong; Tan, Wenchang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/12 MEDIA  LAYER  FLOW  INSTABILITY   Fabrication of high performance top-gate complementary inverter using a single carbon nanotube and via a simple process 期刊论文 应用物理学快报, 2007 Hu, Y. F.; Yao, K.; Wang, S.; Zhang, Z. Y.; Liang, X. L.; Chen, Q.; Peng, L.M.; Yao, Y. G.; Zhang, J.; Zhou, W. W.; Li, Y. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  CONTACTS  GROWTH   Doping-free fabrication of carbon nanotube based ballistic CMOS devices and circuits 期刊论文 nano letters, 2007 Zhang, Zhiyong; Liang, Xuelei; Wang, Sheng; Yao, Kun; Hu, Youfan; Zhu, Yuzhen; Chen, Qing; Zhou, Weiwei; Li, Yan; Yao, Yagang; Zhang, Jin; Peng, Lian-Mao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/10 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  LOGIC GATES  SINGLE  PERFORMANCE  CONTACT  TRANSPORT   Role of interface layers and localized states in TiAl-based ohmic contacts to p-type 4H-SiC 其他 2007-01-01 Gao, M.; Tsukimoto, S.; Goss, S. H.; Tumakha, S. P.; Onishi, T.; Murakami, M.; Brillson, L. J. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 ohmic contact  p-type 4H-SiC  work function  Ti3SiC2  interface  localized states  ELECTRICAL-PROPERTIES  SILICON-CARBIDE  AL/TI CONTACTS  IMPLANTATION  MECHANISM  TI3SIC2   Ordering promotion and intergrain decoupling in FePt thin films by Ta and Ta/Bi buffer layers 期刊论文 应用物理杂志, 2007 Zhang, L. J.; Cai, J. W.; Pan, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 MAGNETIC-PROPERTIES  AG  TEMPERATURE  MICROSTRUCTURE  MULTILAYERS  UNDERLAYER  ANISOTROPY  SUBSTRATE  PHASE  TOP   Schottky barrier MOSFET structure with silicide source/drain on buried metal 期刊论文 中国物理英文版, 2007 Li Ding-Yu; Sun Lei; Zhang Sheng-Dong; Wang Yi; Liu Xiao-Yan; Han Ru-Qi 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/16 Schottky barrier MOSFET  Schottky barrier  barrier height  silicide source/drain  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  GERMANIDE  GATE  FABRICATION  THICKNESS  CONTACTS  IMPACT  SOI  S/D   Corner effects in double-gate/gate-all-around MOSFETs 期刊论文 中国物理英文版, 2007 Hou Xiao-Yu; Zhou Fa-Long; Huang Ru; Zhang Xing 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 GAA  DG  DIBL  S-top  D-top  corner effect  GATE