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半导体研究所 [53]
上海微系统与信息技术... [5]
物理研究所 [3]
厦门大学 [1]
北京大学 [1]
内容类型
期刊论文 [63]
发表日期
2006 [63]
学科主题
半导体材料 [23]
半导体物理 [15]
光电子学 [13]
Materials ... [2]
Chemistry,... [1]
Engineerin... [1]
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共63条,第1-10条
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发表日期:2006
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10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
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提交时间升序
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Porous inp array-directed assembly of inas nanostructure
期刊论文
Applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 26, 页码: 3
作者:
Che, XL
;
Li, L
;
Liu, FQ
;
Huang, XQ
;
Wang, ZG
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Growth of In2O3 single-crystalline film on sapphire (0001) substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 686
Mei, ZX
;
Wang, Y
;
Du, XL
;
Zeng, ZQ
;
Ying, MJ
;
Zheng, H
;
Jia, JF
;
Xue, QK
;
Zhang, Z
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/09/17
INDIUM-TIN-OXIDE
STABILIZED ZIRCONIA
OPTICAL-PROPERTIES
OHMIC CONTACT
ELECTRODE
GAN
DEPOSITION
DEVICES
MGO
Effect of nitridation on the growth of GaN on ZrB2 (0001)/Si(111) by molecular-beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2006, 卷号: 100, 期号: 3
Wang, ZT
;
Yamada-Takamura, Y
;
Fujikawa, Y
;
Sakurai, T
;
Xue, QK
;
Tolle, J
;
Kouvetakis, J
;
Tsong, IST
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/09/17
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROUP-III NITRIDES
BUFFER LAYER
SUBSTRATE
ZRB2(0001)
SI(111)
SURFACE
Transmission electron microscopy study of epitaxial InN thin films grown on c-plane sapphire
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2006, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 1693
Lu, CJ
;
Duan, XF
;
Lu, H
;
Schaff, WJ
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/09/23
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
FUNDAMENTAL-BAND GAP
VAPOR-PHASE EPITAXY
THREADING DISLOCATIONS
BUFFER LAYER
POLARITY
DEFECTS
Compositional modulation and optical emission in AlGaN epitaxial films
期刊论文
应用物理杂志, 2006
Gao, Min
;
Bradley, S. T.
;
Cao, Yu
;
Jena, D.
;
Lin, Y.
;
Ringel, S. A.
;
Hwang, J.
;
Schaff, W. J.
;
Brillson, L. J.
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/12
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AL(X)GA1-XN ALLOYS
SEMICONDUCTOR ALLOYS
PHASE-SEPARATION
INGAN ALLOYS
SUPERLATTICES
GROWTH
LAYERS
TERNARY
Stability analysis of large time-stepping methods for epitaxial growth models
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1137/050628143, 2006
Xu, C. J.
;
Tang, T.
;
许传炬
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/12/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CAHN-HILLIARD EQUATION
SLOPE SELECTION
DYNAMICS
DIFFUSION
SURFACES
Study of HfSiO film prepared by electron beam evaporation for high-k gate dielectric applications
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8073-8076
Cheng, XH
;
Song, ZR
;
Jiang, J
;
Yu, YH
;
Yang, WW
;
Shen, DS
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
ATOMIC-LAYER DEPOSITION
THERMAL-STABILITY
SI(100)
OXIDE
HFO2
A comparison of pulsed-laser-deposited and ion-beam-enhanced-deposited AlN thin films for SOI application
期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 124-128
Men, CL
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXIAL-GROWTH
ALUMINUM NITRIDE
ELECTRICAL-PROPERTIES
SILICON
INSULATOR
TEMPERATURE
FABRICATION
SI(111)
AIN
Gas source MBE growth and doping characteristics of AlInP on GaAs
期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 131, 期号: 1-3, 页码: 49-53
Gu, Y
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Li, H
;
Li, AZ
;
Zhu, C
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TANDEM SOLAR-CELLS
BERYLLIUM
JUNCTION
SILICON
GAINP
Preparation of high-quality Hf-aluminate films by EB-PVD
期刊论文
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2006, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 1192-1194
Cheng, XH
;
Song, ZR
;
Yu, YH
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
ATOMIC-LAYER DEPOSITION
THERMAL-STABILITY
GATE DIELECTRICS
SI(100)
(HFO2)(X)(AL2O3)(1-X)
SI
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