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Nitride semiconductor layer structure and a nitride semiconductor laser incorporating a portion of same 专利
专利号: US6829273, 申请日期: 2004-12-07, 公开日期: 2004-12-07
作者:  AMANO, HIROSHI;  AKASAKI, ISAMU;  KANEKO, YAWARA;  YAMADA, NORIHIDE;  TAKEUCHI, TETSUYA
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Method of forming nitride-based semiconductor layer, and method of manufacturing nitride-based semiconductor device 专利
专利号: US6821807, 申请日期: 2004-11-23, 公开日期: 2004-11-23
作者:  KANO, TAKASHI;  OHBO, HIROKI;  HAYASHI, NOBUHIKO
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Growth of crack-free gan films on si(111) substrate by using al-rich aln buffer layer 期刊论文
Journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4982-4988
作者:  Lu, Y;  Cong, GW;  Liu, XL;  Lu, DC;  Zhu, QS
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III nitride compound semiconductor element an electrode forming method 专利
专利号: US6806571, 申请日期: 2004-10-19, 公开日期: 2004-10-19
作者:  SHIBATA, NAOKI;  UEMURA, TOSHIYA;  ASAI, MAKOTO;  KOIDE, YASUO;  MURAKAMI, MASANORI
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Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures 专利
专利号: US6803602, 申请日期: 2004-10-12, 公开日期: 2004-10-12
作者:  KONG, HUA-SHUANG;  EDMOND, JOHN ADAM;  HABERERN, KEVIN WARD;  EMERSON, DAVID TODD
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Group III nitride compound semiconductor laser 专利
专利号: US6801559, 申请日期: 2004-10-05, 公开日期: 2004-10-05
作者:  HATANO, TAKASHI;  IWAYAMA, SHO;  KOIKE, MASAYOSHI
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Surface morphology of aln buffer layer and its effect on gan growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
Applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 1499-1501
作者:  Zhao, DG;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Zhang, SM;  Yang, H
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The influence of aln buffer layer thickness on the properties of gan epilayer 期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 24-29
作者:  Zhang, JC;  Zhao, DG;  Wang, JF;  Wang, YT;  Chen, J
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High-performance liquid chromatographic determination of quinolizidine alkaloids in radix sophora flavescens using tris(2,2 '-bipyridyl)ruthenium(II) electrochemiluminescence 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1007/s00604-004-0238-y, 2004
Yi, C. Q.; Li, P. W.; Tao, Y.; Chen, X.; 陈曦
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Method for fabricating semiconductor light-emitting device 专利
专利号: US6746948, 申请日期: 2004-06-08, 公开日期: 2004-06-08
作者:  UEDA, DAISUKE;  TAKIGAWA, SHINICHI
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