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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2003     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Heavy ion-induced deformation of radiation-amorphized U3Si 会议论文 作者:  Hou, MD;  Klaumunzer, S 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/08/20 plastic deformation  electronic energy loss effect  ripple formation  fission fragment damage  U3Si   Heavy ion-induced deformation of radiation-amorphized U3Si 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2003, 卷号: 209, 页码: 149-153 作者:  Hou, MD;  Klaumunzer, S 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2018/05/31 plastic deformation  electronic energy loss effect  ripple formation  fission fragment damage  U3Si   A novel method to realize InGaN self-assembled quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 MATERIALS LETTERS, 2003, 卷号: 57, 期号: 26-27, 页码: 4218 Ji, LW; Su, YK; Chang, SJ; Wu, LW; Fang, TH; Xue, QK; Lai, WC; Chiou, YZ 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  WELL BLUE  GAN  SURFACES  GROWTH  EMISSION  SI   Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic semiconductor  magnetic p-n junction  ion beam epitaxy  gadolinium silicides  METAL-INSULATOR-TRANSITION  P-N-JUNCTION  INDUCED FERROMAGNETISM  SI/SIER INTERFACE  BEAM EPITAXY  SEMICONDUCTORS  EXCITATION  MAGNETORESISTANCE  ALLOYS   High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文 symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002 Wang JX; Wang XL; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Hu GX; Liu HX; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ION-SCATTERING SPECTROSCOPY  LATTICE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  FILMS  POLARIZATION  GAN(0001)  SURFACES  GROWTH  DIODES