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内容类型
期刊论文 [18]
会议论文 [3]
发表日期
2002 [21]
学科主题
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共21条,第1-10条
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发表日期:2002
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10
15
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30
35
40
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50
55
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65
70
75
80
85
90
95
100
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发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Studies of 6h-sic devices
期刊论文
Current applied physics, 2002, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 393-399
作者:
Wang, SR
;
Liu, ZL
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Sic
Schottky
Pn junction diodes
Mos capacitor
Si-induced twinning of TiC and formation of Ti3SiC2 platelets
期刊论文
ACTA MATERIALIA, 2002, 卷号: 50, 期号: 16, 页码: 4127-4135
作者:
Yu, R
;
Zhan, Q
;
He, LL
;
Zhou, YC
;
Ye, HQ
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2021/02/02
carbides
transmission electron microscopy (TEM)
microstructure
phase transformations
Si-induced twinning of TiC and formation of Ti3SiC2 platelets
期刊论文
ACTA MATERIALIA, 2002, 卷号: 50, 期号: 16, 页码: 4127-4135
作者:
Yu, R
;
Zhan, Q
;
He, LL
;
Zhou, YC
;
Ye, HQ
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2021/02/02
carbides
transmission electron microscopy (TEM)
microstructure
phase transformations
Energy dispersive spectroscopy analysis of aluminium segregation in silicon carbide grain boundaries
期刊论文
Journal of microscopy-oxford, 2002, 卷号: 207, 页码: 58-68
作者:
Zhang, XF
;
Yang, Q
;
De Jonghe, LC
;
Zhang, Z
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/09
Al
Energy-dispersive spectroscopy
Grain boundary
Impurity
Sic
Transmission electron microscopy
Formation of carbon nanowires by annealing silicon carbide films deposited by magnetron sputtering
期刊论文
Applied surface science, 2002, 卷号: 193, 期号: 1-4, 页码: 87-91
作者:
An, X
;
Zhuang, HZ
;
Yang, L
;
Xue, CS
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Magnetron sputtering technique
Silicon carbide
Carbon nanowire
Thin films
Electron paramagnetic resonance parameters for various V3+ centers in 4H- and 6H-SiC crystals
期刊论文
Physical Review B, 2002, 卷号: 66, 期号: 24
W. C. Zheng
;
S. Y. Wu
;
M. Gong
;
J. Zi
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/04/14
superposition model
silicon-carbide
sic polytypes
spectra
impurities
ions
Electronic structure and structural properties of Ti4AlN3 investigated by ab initio calculations
期刊论文
Journal of the Physical Society of Japan, 2002, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 1313-1317
Z. M. Sun
;
Y. C. Zhou
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/04/14
electronic structure
chemical bonding
Ti4AlN3
ab initio
pseudopotential calculations
anisotropic bonding character
titanium-silicon carbide
liquid reaction process
al-n system
thermal-properties
bonding properties
ti3sic2 ceramics
bulk ceramics
temperature
microstructure
ti3gec2
Cyclic-oxidation behavior of Ti3SiC2-base material at 1100 degrees C
期刊论文
Oxidation of Metals, 2002, 卷号: 57, 期号: 5-6, 页码: 379-394
Z. Sun
;
Y. Zhou
;
M. Li
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/04/14
cyclic oxidation
Ti(3)Sic(2)-base material
scale spallation
adherence
high-temperature oxidation
titanium-silicon carbide
air
Polymorphism of Ti3SiC2
期刊论文
Journal of Materials Research, 2002, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 948-950
R. Yu
;
Q. Zhan
;
L. L. He
;
Y. C. Zhou
;
H. Q. Ye
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/04/14
titanium-silicon carbide
phases
Oxidation behavior of silicide coating on Ti3SiC2-based ceramic
期刊论文
Materials Research Innovations, 2002, 卷号: 6, 期号: 5-6, 页码: 226-231
G. M. Liu
;
M. S. Li
;
Y. C. Zhou
;
Y. M. Zhang
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/04/14
titanium silicon carbide
silicide coating
Oxidation Oxide scale
air
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