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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2002     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth mode and strain evolution during inn growth on gan(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 Applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962 作者:  Ng, YF;  Cao, YG;  Xie, MH;  Wang, XL;  Tong, SY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Zhang, ZY;  Meng, XQ;  Jin, P;  Li, CM;  Qu, SC 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Low dimensional structures  Quantum dots  Strain  Molecular beam epitaxy  Superluminescent diodes   A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  quantum dots  strain  molecular beam epitaxy  superluminescent diodes  1.3 MU-M  HIGH-POWER  INTEGRATED ABSORBER  INAS ISLANDS  SPECTRUM  WINDOW  LAYER  SIZE   Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962 Ng YF; Cao YG; Xie MH; Wang XL; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 MISFIT DISLOCATIONS  DEFECTS  INGAN  GAN  REDUCTION  INDIUM  LAYERS  FILMS