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上海微系统与信息技术... [1]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
专利 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2002 [2]
学科主题
Chemistry,... [1]
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发表日期:2002
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Semiconductor laser device capable of suppressing leakage current in a light emitting and surface and method for manufacturing same
专利
专利号: US20020064200A1, 申请日期: 2002-05-30, 公开日期: 2002-05-30
作者:
OSHIMA, NOBORU
;
SAKATA, MASAHIKO
;
YOKOTA, MAKOTO
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提交时间:2020/01/18
High-vacuum electron-beam co-evaporation of Si nanocrystals embedded in Al2O3 matrix
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2002, 卷号: 191, 期号: 1-4, 页码: 171-175
Wan, Q
;
Zhang, NL
;
Xie, XY
;
Wang, TH
;
Lin, CL
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提交时间:2012/03/24
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