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Wavelength-variable semiconductor laser, optical integrated device utilizing the same, and production method thereof 专利
专利号: US6327289, 申请日期: 2001-12-04, 公开日期: 2001-12-04
作者:  KITAOKA, YASUO;  MIZUUCHI, KIMINORI;  YAMAMOTO, KAZUHISA
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The pl "violet shift" of cerium dioxide on silicon 期刊论文
Chinese science bulletin, 2001, 卷号: 46, 期号: 24, 页码: 2046-2048
作者:  Chai, CL;  Yang, SY;  Liu, ZK;  Liao, MY;  Chen, NF
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Method for design of epitaxial layer and substrate structures for high-quality epitaxial growth on lattice-mismatched substrates 专利
专利号: US20010042503A1, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22
作者:  LO, YU-HWA;  EJECKMAN, FELIX;  ZHU, ZUHUA
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Comprehensive analysis of microtwins in the 3c-sic films on si(001) substrates 期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44
作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Dai, ZZ;  Han, JY
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光半導体装置 专利
专利号: JP3241360B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
作者:  下山 謙司;  後藤 秀樹
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Isochiral form II of syndiotactic polypropylene produced by epitaxial crystallization 期刊论文
MACROMOLECULES, 2001, 卷号: 34, 期号: 18, 页码: 6261-6267
作者:  Zhang, J;  Yang, D;  Thierry, A;  Wittmann, JC;  Lotz, B
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Method of making an article comprising an oxide layer on a GaAs-based semiconductor body 专利
专利号: US6271069, 申请日期: 2001-08-07, 公开日期: 2001-08-07
作者:  CHEN, YOUNG-KAI;  CHO, ALFRED YI;  HOBSON, WILLIAM SCOTT;  HONG, MINGHWEI;  KUO, JENN-MING
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Semiconductor device and method for manufacturing the same 专利
专利号: US6265733, 申请日期: 2001-07-24, 公开日期: 2001-07-24
作者:  SHIMOYAMA, KENJI;  KIYOMI, KAZUMASA;  GOTOH, HIDEKI;  NAGAO, SATORU
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Homoepitaxial growth and device characteristics of sic on si-face (0001) 6h-sic 期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 816-819
作者:  Li, JM;  Sun, GS;  Zhu, SR;  Wang, L;  Luo, MC
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Epitaxial growth of sic on complex substrates 期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 811-815
作者:  Sun, GS;  Li, JM;  Luo, MC;  Zhu, SR;  Wang, L
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