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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2001     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of weak damage in al0.25ga0.75as/gaas by using rbs/c and raman spectroscopy 期刊论文 Physics letters a, 2001, 卷号: 286, 期号: 5, 页码: 332-337 作者:  Liu, PJ;  Lu, GW;  Liu, XD;  Xia, YY;  Chen, Y 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/05/12 Epitaxy  Ion implantation  Raman scattering  Strain  Hrxrd   Mnsi similar to 1.73 grown on silicon with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 4, 页码: 517-520 作者:  Yang, JL;  Chen, NF;  Liu, ZK;  Yang, SY;  Chai, CL 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Ion beam epitaxy  Semiconducting manganese silicide   Influence of ion energy and deposition temperature on the surface morphology of carbon films deposited by ion beams 期刊论文 Acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324-1328 作者:  Liao, MY;  Qin, FG;  Chai, CL;  Liu, ZK;  Yang, SY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Amorphous carbon  Surface morphology  Mass-selected low energy ion beam deposition   Radiation damage and wettability change of low energy C+ implanted polytetrafluoroethylene 期刊论文 Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, 2001, 卷号: 84, 期号: 3, 页码: 200-204 J. Z. Zhang; X. Y. Ye; X. J. Yu; H. D. Li 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/14 ion implantation  PTFE  carbon ion  wettability  current ion-source   Infrared emission from Si implanted with high Er concentration 期刊论文 中国物理英文版, 2001 Xiao, ZS; Xu, F; Zhang, TH; Cheng, GA; Xie, DT; Gu, LL 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/11 erbium  silicon  ion implantation  photoluminescence  LIGHT-EMISSION  SILICON   Effect of implantation energy on the microstructure evolution of low dose separation of implanted oxygen wafers 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2001, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 337-343 Chen, M; Chen, J; Zheng, W; Li, L; Mu, HC; Lin, ZX; Yu, YH; Wang, X; Wang, GY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  LAYER FORMATION  SIMOX  SILICON   MnSi similar to 1.73 grown on silicon with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 4, 页码: 517-520 Yang JL; Chen NF; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Liao MY; He HJ 收藏  |  浏览/下载：112/13  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  semiconducting manganese silicide  SEMICONDUCTING SILICIDES  THIN-FILMS   Influence of ion energy and deposition temperature on the surface morphology of carbon films deposited by ion beams 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324-1328 Liao MY; Qin FG; Chai CL; Liu ZK; Yang SY; Yao ZY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：127/13  |  提交时间：2010/08/12 amorphous carbon  surface morphology  mass-selected low energy ion beam deposition  TETRAHEDRAL AMORPHOUS-CARBON  BIAS-ENHANCED NUCLEATION  ATOMIC-FORCE MICROSCOPY  DIAMOND-LIKE CARBON  SILICON  GROWTH  MODEL