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HBT parameters and space-momentum correlations in relativistic heavy-ion collisions 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 18, 页码: 1568-1570
作者:  Zhang, JB;  Huo, L;  Zhang, WN;  Li, XH;  Xu, N
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半導体装置 专利
专利号: JP3207618B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10
作者:  石川 正行;  西川 幸江;  斎藤 真司
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2020/01/18
InGaP/GaAs微结构材料GSMBE生长与特性及HBT和太阳能电池器件研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2001
陈晓杰
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2012/03/06
Growth of sige heterojunction bipolar transistor using si2h6 gas and ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Sun, DZ
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12
Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Sun, DZ
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带有发射极边减薄结构的异质结双极晶体管直流电流增益的计算 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 6，241-246
作者:  刘晓伟;  张荣
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/05/25
10Gb／sTSC—HBT光调制器驱动电路设计 期刊论文
半导体技术, 2001, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 3，9-11
作者:  刘训春;  张龙海
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/25
fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制 期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2001
贾霖; 倪学文; 莫邦燹; 关旭东; 张录; 宁宝俊; 韩汝琦; 李永康; 周均铭
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13
InGaP/GaAsHBT费米统计律下的数值模拟计算 期刊论文
功能材料与器件学报, 2001, 期号: 04
彭鹏; 李爱珍; 陈建新
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/03/29
GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1035
邹德恕; 徐晨; 陈建新; 史辰; 杜金玉; 高国; 沈光地; 黄大定; 李建平; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23

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