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科研机构
北京大学 [2]
半导体研究所 [1]
上海光学精密机械研究... [1]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
期刊论文 [4]
专利 [1]
发表日期
2001 [5]
学科主题
半导体物理 [1]
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发表日期:2001
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Photon source
专利
专利号: GB2354368A, 申请日期: 2001-03-21, 公开日期: 2001-03-21
作者:
CLARE, LOUISE, FODEN
;
MARK, LEVENCE, LEADBEATER
;
VALERY, TALYANSKY
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提交时间:2020/01/18
A novel experimental technique: combined gated-diode method for extracting lateral distribution of interface traps in SOI NMOSFETs
期刊论文
固体电子学, 2001
He, J
;
Zhang, X
;
Huang, A
;
Huang, R
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
interface traps
lateral distribution
MOSFET gated-diode method
hot carrier effect
characterization
CHARGE
A highly efficient solar cell made from a dye-modified ZnO-covered TiO2 nanoporous electrode
期刊论文
chemistry of materials, 2001
Wang, ZS
;
Huang, CH
;
Huang, YY
;
Hou, YJ
;
Xie, PH
;
Zhang, BW
;
Cheng, HM
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/11
TITANIUM-DIOXIDE FILMS
CHARGE SEPARATION
COLLOIDAL TIO2
POLYCRYSTALLINE TIO2
TRANSPORT-PROPERTIES
SEMICONDUCTOR-FILMS
LIGHT
SPECTROSCOPY
INJECTION
PHOTOELECTRODES
Calculation of the relative abundance between He-like and Li-like Cr under coronal conditions
期刊论文
j. phys. b-at. mol. opt. phys., 2001, 卷号: 34, 期号: 13, 页码: 2537
作者:
Li, XD
;
Wang, C
;
Han, SS
;
Xu, ZZ
;
Zhu, ZH
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2016/11/30
Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on electronic and optical properties of wurtzite III-V nitride quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6210-6216
Wan SP
;
Xia JB
;
Chang K
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浏览/下载:123/9
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提交时间:2010/08/12
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RECOMBINATION DYNAMICS
WIDTH DEPENDENCE
GAN
EXCITONS
ABSORPTION
SPECTRA
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
CONSTANTS
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