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Method for design of epitaxial layer and substrate structures for high-quality epitaxial growth on lattice-mismatched substrates 专利
专利号: US20010042503A1, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22
作者:  LO, YU-HWA;  EJECKMAN, FELIX;  ZHU, ZUHUA
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Group-III nitride semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same 专利
专利号: US20010036678A1, 申请日期: 2001-11-01, 公开日期: 2001-11-01
作者:  UDAGAWA, TAKASHI
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Method for forming a low-defect epitaxial layer in the fabrication of semiconductor devices 专利
专利号: US6306675, 申请日期: 2001-10-23, 公开日期: 2001-10-23
作者:  TSONG, IGNATIUS S. T.;  SMITH, DAVID J.;  TORRES, VICTOR M.;  EDWARDS, JR., JOHN L.;  DOAK, R. BRUCE
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24
面発光型半導体レーザ 专利
专利号: JP3240636B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-17
作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2020/01/18
Buried hetero-structure InP-based opto-electronic device with native oxidized current blocking layer 专利
专利号: US6287884, 申请日期: 2001-09-11, 公开日期: 2001-09-11
作者:  JIE, WANG ZHI;  JIN, CHUA SOO
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Semiconductor laser device 专利
专利号: US6285699, 申请日期: 2001-09-04, 公开日期: 2001-09-04
作者:  NAITO, YUMI;  OKADA, SATORU;  FUJIMOTO, TSUYOSHI
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Semiconductor laser device having strain buffer layer between compressive-strain quantum well layer and tensile-strain barrier layer 专利
专利号: US20010017875A1, 申请日期: 2001-08-30, 公开日期: 2001-08-30
作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser diode array and method of fabricating the same 专利
专利号: US20010017873A1, 申请日期: 2001-08-30, 公开日期: 2001-08-30
作者:  IMAFUJI, OSAMU;  YURI, MASAAKI
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Two-dimensional crystallization of nitrobenzene on a monolayer of stearic acid characterized by scanning tunnelling microscopy 期刊论文
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2001, 卷号: 32, 期号: 1, 页码: 253-255
作者:  Lei, SB;  Wang, C;  Yin, SX;  Xu, QM;  Bai, CL
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Indium doping effect on gan in the initial growth stage 期刊论文
Journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979
作者:  Yuan, HR;  Lu, DC;  Liu, XL;  Chen, Z;  Wang, XH
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