QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2000     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The oxidation of a Co-15 wt% yttrium alloy in 1 atm O-2 at 600-800 degrees C 期刊论文 INTERMETALLICS, 2000, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 293-298 作者:  Niu, Y;  Li, YS;  Gesmundo, F;  Viani, F 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/02/02 rare-earth intermetallics  oxidation  corrosion   Structures and magnetism of two novel heptanuclear lanthanide-centered trigonal prismatic clusters: [LnCu(6)(mu(3)-OH)(3)(HL)(2)(L)(4)](ClO4)(2)center dot 25H(2)O (Ln = La, Tb; H2L = iminodiacetic acid) 期刊论文 inorganic chemistry, 2000 Liu, QD; Gao, S; Li, JR; Zhon, QZ; Yu, KB; Ma, BQ; Zhang, SW; Zhang, XX; Jin, TZ 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2015/11/11 CRYSTAL-STRUCTURE  GROUND-STATE  MOLECULAR-STRUCTURE  YTTRIUM COMPLEX  COPPER COMPLEX  GD  EXCHANGE  METAL  IONS  DY   Semi-insulating GaAs grown in outer space 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 134-138 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON   Point defects in III-V compound semiconductors 期刊论文 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93 Chen N 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 compound semiconductors  point defects  deep level centres  stoichiometry  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS SINGLE-CRYSTALS  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  SEMI-INSULATING GAAS  ELECTRICAL-PROPERTIES  LATTICE-PARAMETER  NATIVE DEFECTS  CARBON  DIFFRACTOMETER  STOICHIOMETRY   Semi-insulating GaAs grown in outer space 会议论文 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON