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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2000     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 AC anodization of aluminum, electrodeposition of nickel and optical property examination 期刊论文 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2000, 卷号: 64, 期号: 3, 页码: 279-289 作者:  Li, LC 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/11/15 ac anodization  nickel pigmentation  selective solar absorbing surface   Microstructure of poly-si thin films prepared at low temperatures 期刊论文 Solar energy materials and solar cells, 2000, 卷号: 62, 期号: 1-2, 页码: 109-115 作者:  Zhu, M;  Cao, Y;  Guo, X;  Liu, J;  He, M 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Poly-si  Hot wire chemical vapor deposition  Microstructure   Interaction among C-28 clusters and diamond (002) surfaces 期刊论文 SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2000, 卷号: 128, 页码: 170-174 Zhu, WJ; Pan, ZY; Ho, YK 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 MOLECULAR-DYNAMICS  CARBON  HYPERDIAMOND  COLLISIONS  FULLERENE  ENERGY  FILMS  C28   Electron field emission from tetrahedral amorphous carbon films with multilayer structure 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 87, 期号: 11, 页码: 8098-8102 Zhao, JP; Chen, ZY; Wang, X; Shi, TS 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 DIAMOND-LIKE CARBON  DEPOSITED DIAMOND  CATHODES  SURFACES  ENERGY   Influence of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) cap layer on structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2000, 卷号: 39, 期号: 9a, 页码: 5076-5079 Wang XD; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  strain-reduction  molecular beam epitaxy (MBE)  red shift  photoluminescence  1.3 MU-M  INGAAS  ENERGY   Hole levels and exciton states in CdS nanocrystals 期刊论文 physical review b, 2000, 卷号: 62, 期号: 19, 页码: 12613-12616 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM DOTS  ELECTRON  SPECTRUM  CRYSTALLITES  CONFINEMENT  TRANSITIONS  ASSIGNMENT  CLUSTERS  ENERGY  BAND   Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs overgrowth layer  photoluminescence  molecular beam epitaxy  1.3 MU-M  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY