×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [9]
金属研究所 [5]
力学研究所 [3]
厦门大学 [2]
物理研究所 [1]
理论物理研究所 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [20]
专利 [1]
会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2000 [23]
学科主题
力学 [3]
光电子学 [2]
半导体材料 [2]
Physics [1]
半导体物理 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共23条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2000
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent inas/gaas quantum dots
期刊论文
Journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 9, 页码: 5433-5436
作者:
Liu, HY
;
Xu, B
;
Chen, YH
;
Ding, D
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Long wavelength DH, SCH and MQW lasers based on Sb
专利
专利号: US6108360, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
作者:
RAZEGHI, MANIJEH
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Effect of low-temperature sige interlayer on the growth of relaxed sige
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 308-311
作者:
Li, DZ
;
Huang, CJ
;
Cheng, BW
;
Wang, HJ
;
Yu, Z
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Sige
Uhv/cvd
Rheed
Raman scattering
The improvement characteristics of homoepitaxial gaas grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191-193
作者:
Wang, HL
;
Zhu, HJ
;
Ning, D
;
Wang, H
;
Wang, XD
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
Deep level transient spectroscopy
Deep level defects
Relaxed gexsi1-x layer formation with reduced dislocation density grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 449-451
作者:
Luo, GL
;
Chen, PY
;
Lin, XF
;
Tsien, P
;
Fan, TW
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Lattice images of dislocations with edge components in GaN epilayers grown on Al2O3 substrates
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/S0022-0248(99)00670-3, 2000
Kang, J. Y.
;
Ogawa, T.
;
康俊勇
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2013/12/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
DEFECT STRUCTURE
FILMS
MECHANISM
SAPPHIRE
DENSITY
ALN
A new topological aspect of the arbitrary dimensional topological defects
期刊论文
JOURNAL OF MATHEMATICAL PHYSICS, 2000, 卷号: 41, 期号: 9, 页码: 6463-6476
作者:
Jiang, Y
;
Duan, YS
;
Jiang, Y , Chinese Acad Sci, Inst Theoret Phys, POB 2735, Beijing 100080, Peoples R China.
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2012/08/29
Gauge Field-theory
Bonnet-chern Density
Disclination Continuum
Cosmic Strings
Linear Defects
Dislocation
Texture
Monopole
Connections
Bifurcation
Dynamic recrystallization induced by plastic deformation at high strain rate in a Monel alloy
期刊论文
Materials Science and Engineering a-Structural Materials Properties Microstructure and Processing, 2000, 卷号: 276, 期号: 1-2, 页码: 250-256
Q. Li
;
Y. B. Xu
;
Z. H. Lai
;
L. T. Shen
;
Y. L. Bai
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/04/14
dynamic recrystallization
plastic deformation
high strain rate
subgrain misorientation
adiabatic shear bands
enhanced grain-growth
microstructure
copper
titanium
behavior
steels
size
Study on the alpha(2)/gamma interfacial structures in a two-phase (alpha(2)+gamma) alloy deformed at elevated temperature
期刊论文
Journal of Materials Science, 2000, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 399-409
J. G. Wang
;
L. C. Zhang
;
G. L. Chen
;
H. Q. Ye
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2012/04/14
transmission electron-microscopy
gamma-titanium aluminides
ti-45al-10nb alloy
intermetallic alloys
mechanical twins
boundaries
dislocations
deformation
ti3al
alpha-2
High-tensile ductility in nanocrystalline copper
期刊论文
Journal of Materials Research, 2000, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: 270-273
L. Lu
;
L. B. Wang
;
B. Z. Ding
;
K. Lu
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2012/04/14
behavior
cu
pd
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace