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Laser-pumped compound waveguide lasers and amplifiers 专利
专利号: US6160824, 申请日期: 2000-12-12, 公开日期: 2000-12-12
作者:  MEISSNER, HELMUTH E.;  MEISSNER, OLIVER R.
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Improvement of LPS-based command surfaces: effect of inserting a flexible disiloxane segment into the azo side chain on photo-driven response 期刊论文
LIQUID CRYSTALS, 2000, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 1683-1689
作者:  Kong, B;  Cui, L;  Xie, P;  Zhang, RB;  He, CB
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2.0-mev er+ implanted in silicon: depth distribution, damage profile and annealing behaviour 期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 71, 期号: 6, 页码: 689-693
作者:  Li, Y;  Tan, C;  Xia, Y;  Zhang, J;  Xue, C
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Large distinctions between underdoped and overdoped la2-xsrxcuo4 single crystals as observed from magnetic and transport measurement: a possible evidence for macroscopic phase separation in overdoped high temperature superconductors 期刊论文
Physica c, 2000, 卷号: 341, 页码: 2005-2006
作者:  Wen, HH;  Chen, XH;  Yang, WL;  Ni, YM;  Zhao, ZX
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/09
The formation and characteristics of Si1-xCx alloys in Si crystals by means of implantation of cions with different doses 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2000, 卷号: 49, 页码: 2210-2213
作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Jin, YF;  Wang, YT;  Lin, LY
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Study of multiple melting behaviour of syndiotactic polystyrene in beta-crystalline form 期刊论文
POLYMER INTERNATIONAL, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 1377-1382
作者:  Yuan, ZH;  Song, R;  Shen, DY
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/09
Mild hydrothermal synthesis, characterization and properties of Na5Ce(PO4)(3), Na3Yb2(PO4)(3)center dot H2O and Na(5-2x)Yb(2)xCe(1-x)(PO4)(3)center dot yH(2)O 期刊论文
CHEMICAL RESEARCH IN CHINESE UNIVERSITIES, 2000, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 287-300
作者:  Xu, YH;  Wang, D;  Feng, SH;  Pang, WQ;  Yue, Y
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The formation and characteristics of si1-xcx alloys in si crystals by means of implantation of cions with different doses 期刊论文
Acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2210-2213
作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Jin, YF;  Wang, YT;  Lin, LY
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12
Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials 专利
专利号: US6130147, 申请日期: 2000-10-10, 公开日期: 2000-10-10
作者:  MAJOR, JO S.;  WELCH, DAVID F.;  SCIFRES, DONALD R.
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High-resolution electron microscopy observation of a new crystalline approximant w ' of mg-zn-y icosahedral quasicrystal 期刊论文
Micron, 2000, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 487-492
作者:  Luo, ZP;  Hashimoto, H
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