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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文 conference on optical and infrared thin films, san diego, ca, 36739 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  SiGe  Refractive High Energy Electron Diffraction  tansmission electron microscopy  Double Crystal X-Ray Diffraction  MOBILITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON  CRITICAL THICKNESS  STRAINED LAYERS  GE  RELAXATION  EPILAYERS  SI1-XGEX  GESI/SI  GASES   Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 962 作者:  Cheng BW(成步文) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 18 作者:  Cheng BW(成步文);  Chen YH(陈涌海) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 The improvement characteristics of homoepitaxial GaAs grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191-193 Wang HL; Zhu HJ; Ning D; Wang H; Wang XD; Guo ZS; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy  deep level transient spectroscopy  deep level defects  DISLOCATION DENSITY  IRRADIATION