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期刊论文 [24]

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发表日期

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半导体材料 [3]

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发表日期：1999

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	Yellow luminescence from precipitates in GaN epilayers 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1007/s003390051044, 1999 Kang, J; Ogawa, T; 康俊勇收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2013/12/12 VAPOR-PHASE EPITAXY UNDOPED GAN FILMS GROWTH CATHODOLUMINESCENCE DEPOSITION MECHANISM SAPPHIRE DEFECTS DIODES
	Direct observation of subsurface oxygen on the defects of Pd(100) 期刊论文 surface science, 1999, 卷号: 439, 期号: 1-3, 页码: l803-l807 作者: Huang, WX; Zhai, RS; Bao, XH 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2010/11/30 electron emission measurements oxygen palladium surface defects work function measurements
	Positron beam study of low-temperature-grown GaAs with aluminum delta layers 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 1999, 卷号: 149, 页码: 159-164 作者: Fleischer, S; Hu, YF; Beling, CD; Fung, S; Smith, TL 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2018/05/31 positron beam low-temperature-grown GaAs aluminum delta layers
	Defects in GaN epilayers 期刊论文 1999 Kang, J. Y.; Huang, Q. S.; Ogawa, T.; 康俊勇收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2013/12/12 YELLOW LUMINESCENCE LASER-DIODES UNDOPED GAN FILMS GROWTH OXYGEN LAYER ALN
	Influence of trivalent metal ions on the surface structure of a copper-based catalyst for methanol synthesis 期刊论文 1999 Chen, HB; Liao, DW; 廖代伟; Yu, LJ; Lin, YJ; Yi, J; Zhang, HB; 张鸿斌; Tsai, KR; 蔡启瑞收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2012/07/13 trivalent metal ion catalyst methanol synthesis
	Compliant universal substrates for epitaxial growth 专利专利号: AU1998094734A1, 申请日期: 1999-04-05, 公开日期: 1999-04-05 作者: LO, YU-HWA 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2019/12/30
	High phosphorous doping and morphological evolution during si growth by gas source molecular beam epitaxy (gsmbe) 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者: Liu, JP; Huang, DD; Li, JP; Sun, DZ; Kong, MY 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2019/05/12 Si low-temperature epitaxy P doping Surface morphology Morphological evolution
	High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者: Liu, JP; Huang, DD; Li, JP; Sun, DZ; Kong, MY 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2021/02/02 Si low-temperature epitaxy P doping surface morphology morphological evolution
	High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者: Liu, JP; Huang, DD; Li, JP; Sun, DZ; Kong, MY 收藏 \| 浏览/下载：9/0 \| 提交时间：2021/02/02 Si low-temperature epitaxy P doping surface morphology morphological evolution
	High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者: Liu, JP; Huang, DD; Li, JP; Sun, DZ; Kong, MY 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2021/02/02 Si low-temperature epitaxy P doping surface morphology morphological evolution

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