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Dehydroabietane及6;7-Dehydroferruginol的合成研究 期刊论文
厦门大学学报(自然科学版), 1999, 期号: S1, 页码: 52
作者:  甘永宏;  潘鑫复
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/23
(4S;5R)-O-Acetyl-Osmundalactone及(4R;5S)-O-Acetyl-Osmundalactone的立体选择性合成研究 期刊论文
厦门大学学报(自然科学版), 1999, 期号: S1, 页码: 51
作者:  甘永宏;  张芳宁;  潘鑫复
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/23
有机半导体PTCDA的制备及其结构表征和光吸收特性研究 期刊论文
发光学报, 1999, 期号: 4, 页码: 351-357
作者:  张福甲;  邵佳锋;  张德江;  奇莉;  甘润今
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/04/27
半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1999346026A, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14
作者:  窪田 晋一
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18
Photovoltaic effect of cubic gan/gaas(100) 期刊论文
Applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 24, 页码: 3823-3825
作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Yang, H;  Zheng, LX;  Xu, DP
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12
窒化物半導体素子 专利
专利号: JP1999340571A, 申请日期: 1999-12-10, 公开日期: 1999-12-10
作者:  山田 孝夫;  中村 修二
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18
Verfahren zum Umgehen mit Belastungen und zum Steuern von Verunreinigungen in III-V-Nitrid-Halbleiterfilmen und optoelektronischen Bauelementen 专利
专利号: DE19905516A1, 申请日期: 1999-12-09, 公开日期: 1999-12-09
作者:  CHEN CHANGHUA;  GOETZ WERNER;  KERN R. SCOTT;  KUO CHIHPING
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
An adjustable contracted CI method 期刊论文
SCIENCE IN CHINA SERIES B-CHEMISTRY, 1999, 卷号: 42, 页码: 649-655
作者:  Wang, YB;  Gan, ZT;  Su, KH;  Wen, ZY
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2018/05/31
Yellow luminescence from precipitates in GaN epilayers 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1007/s003390051044, 1999
Kang, J; Ogawa, T; 康俊勇
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12
半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1999330547A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
作者:  伊藤 国雄;  石田 昌宏
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13

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