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浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1999    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 New modulation structures observed in Bi2.13Sr1.87CuO6+delta superconductors 期刊论文 superconductor science & technology, 1999, 卷号: 12, 期号: 9, 页码: 587-591 Cui SF; Li CR; Mai ZH; Xiong JW; Zhao ZX; Wang YT; Hatton PD 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTOR  X-RAY-SCATTERING  SINGLE-CRYSTALS  DIFFRACTION  LA2CUO4+DELTA  BI2(SR   AlGaInP visible quantum well lasers for information technology 期刊论文 czechoslovak journal of physics, 1999, 卷号: 49, 期号: 5, 页码: 791-796 Yu JZ; Chen LH; Ma XY; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 HIGH-POWER OPERATION  DIODES   AlGaInP visible quantum well lasers for information technology 会议论文 1st czech-chinese workshop on advanced materials for optoelectronics (amfo 98), prague, czech republic, jun 15-17, 1998 Yu JZ; Chen LH; Ma XY; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 HIGH-POWER OPERATION  DIODES   Effect of dopant on the uniformity of InAs self-organized quantum dots 期刊论文 acta physica sinica-overseas edition, 1999, 卷号: 8, 期号: 8, 页码: 624-628 作者:  Jiang DS;  Wang HL;  Wang HL;  Wang H;  Wang H 收藏  |  浏览/下载：147/0  |  提交时间：2010/08/12 INFRARED-ABSORPTION  GROWTH  GAAS   The intrinsic temperature effect of the Raman spectra of graphite 期刊论文 applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 13, 页码: 1818-1820 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 CARBON NANOTUBES  SCATTERING  1ST-ORDER  DIAMOND  DEPENDENCE  FIBERS  MODEL   A comparison of photoluminescence properties of InGaAs GaAs quantum dots with a single quantum well 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 86, 期号: 3, 页码: 1456-1459 Kong MY; Wang XL; Pan D; Zeng YP; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  CARRIER RELAXATION  THERMAL-ACTIVATION  LOCALIZED EXCITONS  SUPERLATTICES  MULTILAYERS  STABILITY  ISLANDS  GROWTH   Exciton dynamics in self-organized InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 acta physica sinica, 1999, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: 744-750 Lu ZD; Li Q; Xu JZ; Zheng BZ; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 THERMAL-ACTIVATION  LOCALIZED EXCITONS  ENERGY RELAXATION  TIME  PHOTOLUMINESCENCE   Strain effect on the band structure of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1999, 卷号: 38, 期号: 11, 页码: 6264-6265 作者:  Wang HL;  Jiang DS;  Wang HL;  Wang HL 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  band structure  relaxation  GAAS  TEMPERATURE   Temperature-induced turnover of the well and barrier layers in ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se superlattices 期刊论文 physical review b, 1999, 卷号: 60, 期号: 4, 页码: 2691-2696 Zhu ZM; Li GH; Zhang W; Han HX; Wang ZP; Wang J; Wang X 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 PRESSURE  DEPENDENCE  ZN1-XMNXSE  GAP   Structural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors 期刊论文 solid-state electronics, 1999, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 723-727 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 PHOTODETECTOR