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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：1998     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Integrated heterostructure of group II-VI semiconductor materials including epitaxial ohmic contact and method of fabricating same 专利 专利号: US5818072, 申请日期: 1998-10-06, 公开日期: 1998-10-06 作者:  SCHETZINA, JAN FREDERICK 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 Inas quantum dots in inalas matrix on (001)inp substrates grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 187, 期号: 3-4, 页码: 564-568 作者:  Li, H;  Wang, Z;  Liang, J;  Xu, B;  Wu, J 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Inas/inalas/inp  Molecular beam epitaxy   Voltage-tunable and two-peak electroluminescence of porous silicon in persulphate solution 其他 1998-01-01 Cai, SM; Wang, RQ; Li, JJ; Liu, ZF 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD 会议论文 spie conference on optoelectronic materials and devices, taipei, taiwan, jul 09-11, 1998 Ma XY; Cao Q; Wang ST; Guo L; Lian P; Wang LM; Zhang XY; Yang YL; Zhang HQ; Wang GH; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 AlGaInP  quantum well  laser diode  MOCVD   Photoluminescence study of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs one-side-modulation-doped asymmetric step quantum wells 期刊论文 solid state communications, 1998, 卷号: 106, 期号: 12, 页码: 811-814 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wells  semiconductors  electronic band structure  luminescence  TRANSISTOR STRUCTURES  OPTICAL-TRANSITIONS  MASS  RENORMALIZATION  HETEROJUNCTIONS  LUMINESCENCE  DENSITY  FERMI-EDGE SINGULARITY   A study on GaP/Si heterostructures grown by GS-MBE 会议论文 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Yu JZ; Chen BW; Yu Z; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 GaP/Si heterostructure  GS-MBE  lattice match  X-ray double crystal diffraction  photoluminescence (PL)   Hydrogen related defects in InP 会议论文 symposium on light emitting devices for optoelectronic applications / 28th state-of-the-art program on compound semiconductors at 193th electrochemical-soc meeting, san diego, ca, may 03-08, 1998 Han YJ; Liu XL; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 Formation mechanism of defects in annealed InP 会议论文 spie conference on optoelectronic materials and devices, taipei, taiwan, jul 09-11, 1998 Han YJ; Liu XL; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/10/29 defects formation  hydrogen related defects  semi-insulating  InP