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半導体レーザ 专利
专利号: JP2847702B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20
作者:  池田 昌夫;  中野 一志;  戸田 淳
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Method of doping with beryllium and method of fabricating semiconductor optical element doped with beryllium 专利
专利号: US5814534, 申请日期: 1998-09-29, 公开日期: 1998-09-29
作者:  KIMURA, TATSUYA;  ISHIDA, TAKAO
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Light emitting device and its fabrication method 专利
专利号: EP0709939B1, 申请日期: 1998-08-26, 公开日期: 1998-08-26
作者:  TAN, MICHAEL R.T.;  WANG, SHIH-YUAN;  YUEN, ALBERT T.
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Radiation-emitting semiconductor diode, and method of manufacturing such a diode 专利
专利号: EP0846342A1, 申请日期: 1998-06-10, 公开日期: 1998-06-10
作者:  DE POORTER, JOHANNES, ANTONIUS;  VALSTER, ADRIAN;  BROUWER, ARNOUD, ADRIANUS
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高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ 专利
专利号: JP2780337B2, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-07-30
作者:  中村 隆宏
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Alternative doping for AlGaInP laser diodes fabricated by impurity-induced layer disordering (IILD) 专利
专利号: US5745517, 申请日期: 1998-04-28, 公开日期: 1998-04-28
作者:  BOUR, DAVID P.;  THORNTON, ROBERT L.;  BEERNINK, KEVIN J.
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Optical waveguide 专利
专利号: GB2318211A, 申请日期: 1998-04-15, 公开日期: 1998-04-15
作者:  ANDREW JAMES SHIELDS
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2763781B2, 申请日期: 1998-03-27, 公开日期: 1998-06-11
作者:  須山 尚宏;  近藤 雅文;  佐々木 和明;  高橋 向星;  細田 昌宏
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Method of measuring doping characteristic of compound semiconductor in real time 专利
专利号: US5705403, 申请日期: 1998-01-06, 公开日期: 1998-01-06
作者:  BAEK, JONG-HYEOB;  LEE, BUN;  LEE, JIN-HONG;  CHOI, SUNG-WOO
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An improved analytical model for minority carrier transport in quasi-neutral semiconductor regions 期刊论文
半导体学报, 1998
马平西; 张利春; 赵宝瑛; 王阳元
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