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内容类型
期刊论文 [18]
专利 [9]
会议论文 [6]
发表日期
1998 [33]
学科主题
半导体物理 [10]
712.1 Semi... [1]
Chemistry,... [1]
Nuclear Sc... [1]
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
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发表日期:1998
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Semiconductor laser devices
专利
专利号: US5844931, 申请日期: 1998-12-01, 公开日期: 1998-12-01
作者:
SAGAWA, MISUZU
;
HIRAMOTO, KIYOHISA
;
TSUCHIYA, TOMONOBU
;
TOYONAKA, TAKASHI
;
SHINODA, KAZUNORI
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/24
Optical device with composite passive and tapered active waveguide regions
专利
专利号: US5844929, 申请日期: 1998-12-01, 公开日期: 1998-12-01
作者:
LEALMAN, IAN F.
;
ROBERTSON, MICHAEL J.
;
PERRIN, SIMON D.
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/24
Integrated heterostructure of group II-VI semiconductor materials including epitaxial ohmic contact and method of fabricating same
专利
专利号: US5818072, 申请日期: 1998-10-06, 公开日期: 1998-10-06
作者:
SCHETZINA, JAN FREDERICK
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/26
Electronic structures of cubic lattice quantum dots
期刊论文
Journal of applied physics, 1998, 卷号: 84, 期号: 7, 页码: 3710-3713
作者:
Li, SS
;
Xia, JB
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Semiconductor light-emitting devices
专利
专利号: US5811839, 申请日期: 1998-09-22, 公开日期: 1998-09-22
作者:
SHIMOYAMA, KENJI
;
HOSOI, NOBUYUKI
;
FUJII, KATSUSHI
;
YAMAUCHI, ATSUNORI
;
GOTOH, HIDEKI
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/26
用微波等离子体化学气相沉积法低温生长织构多晶硅薄膜
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1998, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 661-666
作者:
贺德衍
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
微波等离子体化学:6708
原子氢:3566
多晶硅:3292
低温生长:2980
织构:2133
光吸收谱:2119
薄膜生长:1988
衬底温度:1933
沉积法:1722
光电导:1684
Textured polycrystalline silicon films
Semi-insulating surface light emitting devices
专利
专利号: US5789772, 申请日期: 1998-08-04, 公开日期: 1998-08-04
作者:
JIANG, CHING-LONG
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/24
Fabrication of quantum well polarization independent active devices
专利
专利号: US5757023, 申请日期: 1998-05-26, 公开日期: 1998-05-26
作者:
KOTELES, EMIL S.
;
HE, JIAN JUN
;
CHARBONNEAU, SYLVAIN
;
POOLE, PHILIP J.
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/24
Compact micro-optical edge-emitting semiconductor laser assembly
专利
专利号: US5757830, 申请日期: 1998-05-26, 公开日期: 1998-05-26
作者:
LIAU, ZONG-LONG
;
TSANG, DEAN Z.
;
WALPOLE, JAMES N.
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor structures having electrically insulating and conducting portions formed from an AlSb-alloy layer
专利
专利号: US5726462, 申请日期: 1998-03-10, 公开日期: 1998-03-10
作者:
SPAHN, OLGA B.
;
LEAR, KEVIN L.
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/26
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