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Buried heterostructure lasers using mocvd growth over patterned substrates 专利
专利号: CA2084820C, 申请日期: 1997-12-09, 公开日期: 1993-07-25
作者:  BERGER PAUL RAYMOND;  DUTTA NILOY KUMAR;  HOBSON WILLIAM SCOTT;  LOPATA JOHN
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Laser diode having narrowed radiation angle characteristic 专利
专利号: US5693965, 申请日期: 1997-12-02, 公开日期: 1997-12-02
作者:  YAMADA, HIROHITO
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Semiconductor laser module 专利
专利号: US5684902, 申请日期: 1997-11-04, 公开日期: 1997-11-04
作者:  TADA, HITOSHI
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GaAs/AlGaAs半導体構造のミラーファセットをエッチングする方法 专利
专利号: JP2711336B2, 申请日期: 1997-10-31, 公开日期: 1998-02-10
作者:  ペーテル·ブーフマン;  ハンス―ペーテル·デイードリツヒ;  ペーテル·フエイガー
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Method of making a GaAs-based laser comprising a facet coating with gas phase sulphur 专利
专利号: US5668049, 申请日期: 1997-09-16, 公开日期: 1997-09-16
作者:  CHAKRABARTI, UTPAL KUMAR;  HOBSON, WILLIAM SCOTT;  REN, FAN;  SCHNOES, MELINDA LAMONT
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Monolithic semiconductor laser array of radially disposed lasers 专利
专利号: US5642373, 申请日期: 1997-06-24, 公开日期: 1997-06-24
作者:  KAMIZATO, TAKESHI;  HIRANO, RYOICHI
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Cylindrical microlens external cavity for laser diode frequency control 专利
专利号: US5636059, 申请日期: 1997-06-03, 公开日期: 1997-06-03
作者:  SNYDER, JAMES J.
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Semiconductor laser device and method of designing the same 专利
专利号: US5608752, 申请日期: 1997-03-04, 公开日期: 1997-03-04
作者:  GOTO, TAKENORI;  HAYASHI, NOBUHIKO;  MIYAKE, TERUAKI;  MATSUMOTO, MITSUAKI;  MATSUKAWA, KENICHI
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In-situ electrochemical atomic force microscopy studies of nucleation of single nucleus on microelectrodes 期刊论文
1997
Cai, XW; 蔡雄伟; Xie, ZX; 谢兆雄; Mao, BW; 毛秉伟
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