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物理研究所 [2]
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半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
1997 [5]
学科主题
半导体材料 [1]
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共5条,第1-5条
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发表日期:1997
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Field induced vanishing of the vortex glass temperature in tl2ba2cacu2o8 thin films
期刊论文
Physical review letters, 1997, 卷号: 79, 期号: 8, 页码: 1559-1562
作者:
Wen, HH
;
Hoekstra, AFT
;
Griessen, R
;
Yan, SL
;
Fang, L
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/09
The crystallite-size dependence of structural parameters in pure ultrafine-grained copper
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 1997, 卷号: 30, 期号: 21, 页码: 3008-3015
K. Zhang
;
I. V. Alexandrov
;
A. R. Kilmametov
;
R. Z. Valiev
;
K. Lu
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2012/04/14
x-ray-diffraction
nanocrystalline
boundaries
gold
pd
The X-ray diffraction study on a nanocrystalline Cu processed by equal-channel angular pressing
期刊论文
Nanostructured Materials, 1997, 卷号: 9, 期号: 1-8, 页码: 347-350
K. Zhang
;
I. V. Alexandrov
;
K. Lu
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/04/14
crystalline
Relaxed Si0.7Ge0.3 layers grown on low-temperature Si buffers with low threading dislocation density
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1997, 卷号: 71, 期号: 21, 页码: 3132
Li, JH
;
Peng, CS
;
Wu, Y
;
Dai, DY
;
Zhou, JM
;
Mai, ZH
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SI/SIGE HETEROSTRUCTURES
MOBILITY
FILMS
Growth of high-quality relaxed In0.3Ga0.7As/GaAs superlattices
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 3, 页码: 297-300
Pan D
;
Zeng YP
;
Wu J
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/17
MBE growth
strained superlattice
EPITAXIAL MULTILAYERS
MISFIT DISLOCATIONS
LAYERS
RELAXATION
DEFECTS
STRAIN
FILMS
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